Mobili versija | Apie | Visos naujienos | RSS | Kontaktai | Paslaugos
 
Jūs esate čia: Pradžia » Visos temos » Technologijos » Elektronika

IBM: silicio puslaidininkius bus galima pakeisti anglies pagrindu pagamintais puslaidininkiais

2010-02-22 (0) Rekomenduoja   (0) Perskaitymai (1537)
    Share

IBM mokslininkai tikisi, kad per dešimtmetį pavyks išrasti tranzistorius, gaminamus iš anglies.

Iki šiol plačiausiai naudojama puslaidininkinė medžiaga – silicis, dauguma mikroschemų gaminama jo pagrindu.

Tačiau IBM dėmesį patraukė anglies atmaina grafenas. Jo struktūrą sudaro anglies atomų, susijungusių šešiakampiais, sluoksniai, o elektronai juose gali judėti šimtus kartų greičiau, nei silicyje, todėl grafenas gerai tiktų ypač didelių dažnių mikroschemoms.

Tačiau kol kas neišspręstų problemų taip pat daug: grafeno sluoksniai yra laidininkai, todėl lauko tranzistoriams su šia medžiaga reikėtų labai didelės srovės jų perjungimui, tuo metu kai puslaidininkiniams lauko tranzistoriams valdyti – įjungti ir išjungti – reikia visai nedidelės srovės. Taip pat grafenas smarkiai kaista, kai juo teka stipri srovė.

Tačiau IBM mokslininkai mano, kad grafenas labai perspektyvi medžiaga ir šias kliūtis pavyks įveikti.

Plačiau apie jų tyrimus galima paskaityti čia: Non-linear screening of external charge by doped graphene bei anksčiau publikuotame pranešime spaudai.

Verta skaityti! Verta skaityti!
(0)
Neverta skaityti!
(0)
Reitingas
(0)
Komentarai (0)
Komentuoti gali tik registruoti vartotojai
Komentarų kol kas nėra. Pasidalinkite savo nuomone!
Naujausi įrašai

Įdomiausi

Paros
67(5)
58(5)
40(1)
36(0)
31(0)
28(2)
23(0)
21(8)
20(0)
18(0)
Savaitės
95(1)
82(1)
80(3)
60(2)
Mėnesio
147(25)
107(13)
89(0)
85(8)