RAM atmintis (Elektronika | Technologijos)
|
||||
Archyvo rikiavimo ir rūšiavimo funkcijos
|
||||
|
||||


Granados universiteto (Ispanija) mokslininkai kartu su specialistais iš Grenoblio CEA-LETI laboratorijos (Prancūzija) specialistais paskelbė apie pažangios operatyviosios atminties gamybos technologiją, kuri, kūrėjų teigimu, gali būti drąsiai vadinama revoliucine.


Šį ketvirtadienį "Samsung Electronics" paskelbė, kad panaudojus 50 nanometrų integrinių grandynų technologiją kompanijai pavyko pagaminti pirmąją pasaulyje 4Gb (gigabitų) talpos DDR3 tipo operatyviosios atminties mikroschemą. Gamintojas teigia, kad techniškai dabartinės galimybės jau leidžia pagaminti asmeniniams kompiuteriams skirtus 32GB talpos atminties modulius.